IPP330P10NMAKSA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPP330P10NMAKSA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPP330P10NMAKSA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRENCH >=100V PG-TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 100 V 6.9A (Ta), 62A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

ສິນຄ້າ:

438 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12973589
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPP330P10NMAKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.9A (Ta), 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.55mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP330P

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
IPP330P10NM
ບັນທຶກ HTML
IPP330P10NMAKSA1-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
IPP330P10NMAKSA1

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
SP005343871
448-IPP330P10NMAKSA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
panjit

PJQ4407P_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

micro-commercial-components

MCAC75N02-TP

MOSFET N-CH DFN5060

rohm-semi

RV5C040APTCR1

MOSFET P-CH 20V 4A DFN1616-6

infineon-technologies

ISC230N10NM6ATMA1

TRENCH >=100V PG-TDSON-9