ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPP320N20N3GXKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPP320N20N3GXKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
ສິນຄ້າ:
3687 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12822849
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPP320N20N3GXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
136W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP320
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
IPP320N20N3 G
IPP320N20N3GXKSA1-DG
IPP320N20N3G
2156-IPP320N20N3GXKSA1
SP000677842
IPP320N20N3 G-DG
448-IPP320N20N3GXKSA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFU5505
MOSFET P-CH 55V 18A IPAK
IRFU2405PBF
MOSFET N-CH 55V 56A IPAK
IRFTS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
