ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPP126N10N3GXKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPP126N10N3GXKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
ສິນຄ້າ:
12803894
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPP126N10N3GXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
94W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP126
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500
ຊື່ ອື່ນໆ
SP000683088
2156-IPP126N10N3GXKSA1
IPP126N10N3 G-DG
INFINFIPP126N10N3GXKSA1
IPP126N10N3 G
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTP6412ANG
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
114
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTP6412ANG-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.86
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
HUF75645P3
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1488
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
HUF75645P3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.15
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN015-100P,127
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7793
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN015-100P,127-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.06
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDP150N10
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
235
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDP150N10-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.05
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK35E08N1,S1X
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK35E08N1,S1X-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.39
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF3704STRR
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRFP4768PBF
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
IRFB7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
