IPP120P04P4L03AKSA2
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPP120P04P4L03AKSA2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPP120P04P4L03AKSA2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

ສິນຄ້າ:

686 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12928907
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPP120P04P4L03AKSA2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
OptiMOS®-P2
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 340µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
136W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP120

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
IPx120P04P4L-03
ບັນທຶກ HTML
IPP120P04P4L03AKSA2-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
IPP120P04P4L03AKSA2

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
SP002581210
448-IPP120P04P4L03AKSA2

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

NTR3161NT1G

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT23-3

microsemi

JANTX2N6770

MOSFET N-CH 500V 12A TO3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO252

microsemi

JAN2N6800

MOSFET N-CH 400V 3A TO39