IPP111N15N3GXKSA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPP111N15N3GXKSA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPP111N15N3GXKSA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

ສິນຄ້າ:

3898 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13064062
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPP111N15N3GXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
OptiMOS™
ແພັກເກດ
Tube
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
214W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP111

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
IPP111N15N3GXKSA1-ND
IPP111N15N3 G-ND
IPP111N15N3G
SP000677860
IPP111N15N3 G
448-IPP111N15N3GXKSA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRF7580MTRPBF

MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET

infineon-technologies

IPD90R1K2C3BTMA1

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3

infineon-technologies

IPA65R125C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP

infineon-technologies

IRFR9014N

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK