ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPP057N08N3GHKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPP057N08N3GHKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
ສິນຄ້າ:
12850999
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPP057N08N3GHKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 40 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
150W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP057M
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500
ຊື່ ອື່ນໆ
SP000395165
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPP057N08N3GXKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
230
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPP057N08N3GXKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.10
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
AOT286L
ຜູ້ຜະລິດ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
AOT286L-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.96
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDS6375
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
BFL4036
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO220FI
FQPF6N90CT
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
