ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPP023NE7N3GXKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
ສິນຄ້າ:
460 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12806021
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPP023NE7N3GXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP023
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G E8177-DG
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3GCTINACTIVE
2156-IPP023NE7N3GXKSA1-448
IPP023NE7N3 GTR-DG
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
IPP023NE7N3GDKRINACTIVE
IPP023NE7N3 G-DG
IPP023NE7N3 GCT
IPP023NE7N3 GDKR-DG
IPP023NE7N3 GCT-DG
IPP023NE7N3 GDKR
IPP023NE7N3 GDKRINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 GCTINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 G E8177
SP000641722
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFH8330TRPBF
MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
IRLZ44ZL
MOSFET N-CH 55V 51A TO262
SPP80N04S2-H4
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
