ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPN80R900P7ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPN80R900P7ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
ສິນຄ້າ:
5780 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12803715
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPN80R900P7ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ P7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 110µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 500 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
7W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPN80R900
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001665000
IPN80R900P7ATMA1CT
IPN80R900P7ATMA1-DG
IPN80R900P7ATMA1TR
IPN80R900P7ATMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
IPP60R380P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IPW65R280E6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
