IPN60R1K0PFD7SATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPN60R1K0PFD7SATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

CONSUMER PG-SOT223-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 4.7A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12964998
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPN60R1K0PFD7SATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ PFD7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
6W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223-4
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPN60R

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
IPN60R1K0PFD7S
ບັນທຶກ HTML
IPN60R1K0PFD7SATMA1-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
IPN60R1K0PFD7SATMA1

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1CT
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1TR
SP005354000

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

ISZ034N06LM5ATMA1

MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON

onsemi

NVMTS4D3N15MC

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00

panjit

PJA3404-AU_R1_000A1

SOT-23, MOSFET

panjit

PJA3436-AU_R1_000A1

SOT-23, MOSFET