IPLK60R1K0PFD7ATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPLK60R1K0PFD7ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPLK60R1K0PFD7ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 5.2A (Tc) 31.3W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-52

ສິນຄ້າ:

12976583
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPLK60R1K0PFD7ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ PFD7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
31.3W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-52
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPLK60

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1CT
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1DKR
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1TR
SP005354001

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

TKR74F04PB,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM

renesas-electronics-america

RJK5030DPD-03#J2

RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET

diotec-semiconductor

2N7002W

MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5

renesas-electronics-america

HAT1044M-EL-E

HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE