IPL65R099C7AUMA1

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPL65R099C7AUMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPL65R099C7AUMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

ສິນຄ້າ:

9332 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12818138

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IPL65R099C7AUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

CoolMOS™ C7

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

21A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 590µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2140 pF @ 400 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

128W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-40°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PG-VSON-4

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

4-PowerTSFN

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IPL65R099

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

448-IPL65R099C7AUMA1DKR

448-IPL65R099C7AUMA1CT

IFEINFIPL65R099C7AUMA1

SP001032722

2156-IPL65R099C7AUMA1

IPL65R099C7AUMA1-DG

448-IPL65R099C7AUMA1TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

2A (4 Weeks)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

rohm-semi

RSR010N10HZGTL

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

rohm-semi

RSR025N03HZGTL

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

rohm-semi

RSQ035N03HZGTR

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

rohm-semi

R5019ANJTL

MOSFET N-CH 500V 19A LPTS