IPI60R299CPXKSA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPI60R299CPXKSA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPI60R299CPXKSA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

ສິນຄ້າ:

12805882
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPI60R299CPXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
CoolMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
96W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO262-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPI60R

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-IPI60R299CPXKSA1-IT
IFEINFIPI60R299CPXKSA1
IPI60R299CP-DG
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPX
IPI60R299CP
SP000103249
IPI60R299CPAKSA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STI24N60M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1180
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STI24N60M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.07
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRF2807L

MOSFET N-CH 75V 82A TO262

infineon-technologies

IPP60R160P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3

infineon-technologies

IRLR2905Z

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

infineon-technologies

IRLML9301TRPBF

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23