IPI60R099CPXKSA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPI60R099CPXKSA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPI60R099CPXKSA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

ສິນຄ້າ:

500 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800175
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPI60R099CPXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
255W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO262-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPI60R099

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500
ຊື່ ອື່ນໆ
IPI60R099CP-DG
IPI60R099CP
IPI60R099CPXKSA1-DG
SP000297356
448-IPI60R099CPXKSA1
IPI60R099CPAKSA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

BTS121ANKSA1

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

infineon-technologies

BSC084P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON

infineon-technologies

IPD50R2K0CEAUMA1

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3

infineon-technologies

IPD096N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3