ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPG20N06S2L50ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPG20N06S2L50ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-4
ສິນຄ້າ:
10000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12848927
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPG20N06S2L50ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 19µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 25V
ພະລັງ - Max
51W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-4
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPG20N
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPG20N06S2L-50-DG
448-IPG20N06S2L50ATMA1TR
IPG20N06S2L50ATMA1TR
IPG20N06S2L50ATMA1TR-DG
448-IPG20N06S2L50ATMA1CT
SP000613728
448-IPG20N06S2L50ATMA1DKR
INFINFIPG20N06S2L50ATMA1
2156-IPG20N06S2L50ATMA1
IPG20N06S2L-50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
AO4826
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
FDS3890
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
NVMFD5873NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN