ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPDD60R102G7XTMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPDD60R102G7XTMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
ສິນຄ້າ:
12803526
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPDD60R102G7XTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ G7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 390µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
139W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HDSOP-10-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
10-PowerSOP Module
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPDD60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,700
ຊື່ ອື່ນໆ
IPDD60R102G7XTMA1TR
IPDD60R102G7
SP001632832
IPDD60R102G7XTMA1DKR
IPDD60R102G7XTMA1CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB160N04S203ATMA4
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB60R120P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
