IPDD60R050G7XTMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPDD60R050G7XTMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPDD60R050G7XTMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1

ສິນຄ້າ:

3335 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12802883
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPDD60R050G7XTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ G7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2670 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
278W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HDSOP-10-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
10-PowerSOP Module
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPDD60

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,700
ຊື່ ອື່ນໆ
IPDD60R050G7XTMA1DKR
IPDD60R050G7XTMA1TR
INFINFIPDD60R050G7XTMA1
IPDD60R050G7XTMA1CT
SP001632818
2156-IPDD60R050G7XTMA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRFU7546PBF

MOSFET N-CH 60V 56A IPAK

infineon-technologies

IRF7404TRPBF

MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO

infineon-technologies

IAUS165N08S5N029ATMA1

MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8

infineon-technologies

IPA60R180P7SXKSA1

MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220