ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPD65R600E6ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPD65R600E6ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ສິນຄ້າ:
12803043
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPD65R600E6ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
CoolMOS™ E6
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
63W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD65R600
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001117096
2156-IPD65R600E6ATMA1
ROCINFIPD65R600E6ATMA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STD11N60DM2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1905
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STD11N60DM2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.67
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPD70R600P7SAUMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12894
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPD70R600P7SAUMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.26
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
IRF9530NS
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
