IPD65R190C7ATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPD65R190C7ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPD65R190C7ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

ສິນຄ້າ:

3671 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800572
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPD65R190C7ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ C7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
72W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD65R

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
IPD65R190C7ATMA1DKR
IPD65R190C7ATMA1TR
SP000928648
IPD65R190C7ATMA1CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPA60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP

infineon-technologies

IPP08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3

infineon-technologies

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

infineon-technologies

IPB65R150CFDATMA2

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3