ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPD60R460CEATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPD60R460CEATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ສິນຄ້າ:
12803394
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPD60R460CEATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
CoolMOS™ CE
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
74W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD60R
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-IPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1CT
2156-IPD60R460CEATMA1-ITTR-DG
IFEINFIPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1TR
SP001276024
IPD60R460CEATMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCD7N60TM
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5978
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCD7N60TM-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.91
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTY8N65X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
20
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTY8N65X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.22
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF9Z34NSPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IPP65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
IRFSL4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A TO262