IPD60R1K5PFD7SAUMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPD60R1K5PFD7SAUMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPD60R1K5PFD7SAUMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344

ສິນຄ້າ:

2480 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12810869
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPD60R1K5PFD7SAUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ PFD7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 40µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
169 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
22W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3-344
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD60R

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SP004748872
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT
2156-IPD60R1K5PFD7SAUMA1
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPD60R360PFD7SAUMA1

MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3

infineon-technologies

IPS60R360PFD7SAKMA1

MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3

infineon-technologies

IMZA65R027M1HXKSA1

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

infineon-technologies

IPD60R210PFD7SAUMA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3