ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPD50R399CPBTMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPD50R399CPBTMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
LOW POWER_LEGACY
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
ສິນຄ້າ:
12803585
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPD50R399CPBTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
CoolMOS™ CP
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
83W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3-313
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD50R
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SP000307379
2156-IPD50R399CPBTMA1-ITTR
INFINFIPD50R399CPBTMA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPD50R399CPATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPD50R399CPATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.82
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PJMD360N60EC_L2_00001
ຜູ້ຜະລິດ
Panjit International Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5985
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PJMD360N60EC_L2_00001-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.21
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB60R280P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
IPP60R1K4C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
IRFIZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 31A TO220AB FP