IPD50R1K4CEAUMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPD50R1K4CEAUMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPD50R1K4CEAUMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

ສິນຄ້າ:

4935 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800893
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPD50R1K4CEAUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ CE
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Last Time Buy
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
178 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD50R1

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IPD50R1K4CEAUMA1DKR
ROCINFIPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
448-IPD50R1K4CEAUMA1TR
448-IPD50R1K4CEAUMA1CT
2156-IPD50R1K4CEAUMA1
SP001396808

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPB120N06S403ATMA2

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

infineon-technologies

BSO119N03S

MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

infineon-technologies

IPD50N06S2L13ATMA1

MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPD100N04S4L02ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V