ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPD30N06S2L13ATMA4
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
ສິນຄ້າ:
19615 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800492
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPD30N06S2L13ATMA4 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
136W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3-11
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD30N06
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
IPD30N06S2L13ATMA4TR
SP001061280
2156-IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4DKR
INFINFIPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
IPD30N06S2L13ATMA4CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
