ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPD30N03S4L09ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
ສິນຄ້າ:
48073 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800246
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPD30N03S4L09ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 13µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1520 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3-11
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD30N03
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
IPD30N03S4L-09-DG
IPD30N03S4L-09INTR-DG
IPD30N03S4L-09INCT
IPD30N03S4L-09INCT-DG
IPD30N03S4L-09
IPD30N03S4L09ATMA1CT
SP000415578
INFINFIPD30N03S4L09ATMA1
IPD30N03S4L09ATMA1TR
IPD30N03S4L-09INDKR
IPD30N03S4L-09INDKR-DG
2156-IPD30N03S4L09ATMA1
IPD30N03S4L09
IPD30N03S4L-09INTR
IPD30N03S4L09ATMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPI65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
BTS110E3045ANTMA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
