IPBE65R190CFD7AATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPBE65R190CFD7AATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPBE65R190CFD7AATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-11

ສິນຄ້າ:

12953700
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPBE65R190CFD7AATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 320µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1291 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
77W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-7-11
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPBE65

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IPBE65R190CFD7AATMA1CT
448-IPBE65R190CFD7AATMA1TR
2156-IPBE65R190CFD7AATMA1
SP005398486
448-IPBE65R190CFD7AATMA1DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

TK12J60W,S1VE(S

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P

vishay-siliconix

IRFBC40PBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFB9N60A

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB