ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPBE65R099CFD7AATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPBE65R099CFD7AATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3-10
ສິນຄ້າ:
12955170
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPBE65R099CFD7AATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ CFD7A
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2513 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
127W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-7-3-10
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPBE65
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR
SP002561844
2156-IPBE65R099CFD7AATMA1
448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT
448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
C3M0060065K
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
UF3SC065030B7S
650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
UF3C170400K3S
SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
