ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB80N04S3H4ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB80N04S3H4ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ສິນຄ້າ:
12800071
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB80N04S3H4ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 65µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
115W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB80N
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB80N04S3-H4
2156-IPB80N04S3H4ATMA1-ITTR
IPB80N04S3H4ATMA1TR
SP000415564
INFINFIPB80N04S3H4ATMA1
IPB80N04S3-H4-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPB80N04S404ATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPB80N04S404ATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.93
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB120N4F6
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
944
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB120N4F6-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.93
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSP316PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
IPD90N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD30N03S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
