IPB80N04S2H4ATMA2
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPB80N04S2H4ATMA2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPB80N04S2H4ATMA2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CHANNEL_30/40V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

ສິນຄ້າ:

712 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800016
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPB80N04S2H4ATMA2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB80N

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
INFINFIPB80N04S2H4ATMA2
IPB80N04S2H4ATMA2-DG
448-IPB80N04S2H4ATMA2CT
SP001058130
448-IPB80N04S2H4ATMA2DKR
2156-IPB80N04S2H4ATMA2
448-IPB80N04S2H4ATMA2TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPD90N04S402ATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPD160N04LGBTMA1

MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

infineon-technologies

IPP065N06LGAKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPA80R1K2P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220