ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB50CN10NGATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB50CN10NGATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ສິນຄ້າ:
12799914
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB50CN10NGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
44W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP000277696
IPB50CN10N G
INFINFIPB50CN10NGATMA1
IPB50CN10NGATMA1TR
IPB50CN10N G-DG
2156-IPB50CN10NGATMA1-ITTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB30NF10T4
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
971
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB30NF10T4-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.66
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PHB27NQ10T,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7068
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PHB27NQ10T,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.55
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPA80R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
