ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB038N12N3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB038N12N3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
ສິນຄ້າ:
1575 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800955
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB038N12N3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB038
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB038N12N3 GTR
IPB038N12N3 GCT
IPB038N12N3 G
IPB038N12N3G
IPB038N12N3GATMA1CT
IPB038N12N3 GDKR-DG
IPB038N12N3 GCT-DG
IPB038N12N3 GDKR
IPB038N12N3 GTR-DG
IPB038N12N3GATMA1DKR
IPB038N12N3 G-DG
IPB038N12N3GATMA1TR
SP000694160
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB60R125CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
IPA60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
IPD122N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
