ໜ້າທໍ່
ສິນຄ້າ
ຜູ້ປະຕິບັດ
ແກ່ການເວັບໄຊ DiGi
ແຈ້ງບັນຊາ
ບລັອກ ແລະໂພສ
RFQ/ອະທິບາຍ
Laos
ເຂົ້າໃຈ
ເລືອກພາສາ
ພາສາປະຈຸບັນຂອງທ່ານແວ່ນເລືອກ:
Laos
ປ່ອນ:
ພາສາອັງກິດ
ເອີຣົບ
ປະເທດຣາດຊະອານາຈັກອັງກິດ
ປະເທດຝຣັ່ງ
ປະເທດສະເປນ
ປະເທດຕຸລາກີ
ປະເທດ Moldova
ປະເທດລິດທົວເນຍ
ປະເທດນໍເວ
ປະເທດເຢຍລະມັນ
ປະເທດໂປຕູເກດ
ປະເທດສະໂລວາເກຍ
ltaly
ປະເທດຟິນແລນ
ພາສາຣັດເຊຍ
ປະເທດບັງກາເຣຍ
ປະເທດເດນມາກ
ປະເທດເອດສະໂຕເນຍ
ປະເທດໂປແລນ
ປະເທດຢູເຄຣນ
ປະເທດສະໂລວາເນຍ
ພາສາເຊັກໂກ
ພາສາເກຼັກ
ປະເທດໂຄເອເຊຍ
ປະເທດອິດສະລາແອວ
ປະເທດເຊີເບຍ
ປະເທດເບລາຣຸດ
ປະເທດເນເທີແລນ
ປະເທດສະວີເດັນ
ມອນເຕເນໂກຣ
ພາສາແບສ
ປະເທດໄອສແລນ
ປະເທດບອສເນຍ
ພາສາຮົງກາລີ
ປະເທດໂຣມາເນຍ
ປະເທດໂອຕຣິດ
ປະເທດເບນຊິກ
ປະເທດໄອແລນ
ອາຊີ / ປາຊີຟິກ
ປະ ເທດ ຈີນ
ປະເທດຫວຽດນາມ
ປະເທດອິນໂດເນເຊຍ
ປະເທດໄທ
ລາວເວົ້າ
ພາສາຟິລິບປິນ
ປະເທດມາເລເຊຍ
ປະເທດເກົາຫຼີ
ປະເທດຍີ່ປຸ່ນ
ຮົງກົງ
ປະເທດໄຕ້ຫວັນ
ປະເທດສິງກະໂປ
Pakistan
ປະເທດຊາອູດິອາຣະເບຍ
ປະເທດກາຕ້າ
ປະເທດກູເວດ
ປະເທດກໍາປູເຈຍ
ມຽນມາ
ອາ ຟຣິ ກາ, ອິນ ເດຍ ແລະ ຕາ ເວັນ ອອກ ກາງ
ປະເທດສະຫະພາບອາຣັບເອມິເຣດ
ຕາຈິກສະຕັນ
ມາດາກາສະກາ
ປະເທດອິນເດຍ
ປະເທດອີຣານ
DR Congo
ປະເທດອັບຝຣິກກາໄຕ້
ປະເທດເອຢິບ
ປະເທດເຄນຢ້າ
ປະເທດ Tanzania
ປະ ເທດກາ ນາ
ເຊເນກາລ
ປະເທດໂມຣົກໂກ
ປະເທດຕຸນີເຊຍ
ອາ ເມ ຣິ ກາ ໃຕ້ / ໂອ ເຊຍ
ປະເທດນິວຊີແລນ
ແອນ ໂກ ລາ
ປະເທດເບຣຊິນ
ໂມຊໍາບິກ
ປະເທດເປຣູ
ປະເທດໂຄລຳເບຍ
ປະເທດຊິລີ
ປະເທດເວເນຊູເອລ້າ
ປະເທດເອກົວດໍ
ປະເທດໂບລີເວຍ
ປະເທດອູຣູໄກວ
ປະເທດອາເຈນຕິນາ
ປະເທດປາຣາໄກວ
ປະເທດອົດສະຕຣາລີ
ອາ ເມ ຣິ ກາ ເຫນືອ
ປະເທດສະຫະລັດອາເມລິກາ
ປະເທດ ເຮ ຕີ້
ປະເທດການາດາ
ປະເທດຄອດສະຕາຣິກາ
ປະເທດແມັກຊີໂກ
ແກ່ການເວັບໄຊ DiGi
ກໍ່ກ່ຽວກັບເຮົາ
ກໍ່ກ່ຽວກັບເຮົາ
ใบรับรองของเรา
DiGi ບົດນຳແນະ
ວສິຄະ ໃຫ້ DiGi
ນโยບາຍ
ປະລິມານຄຸນທັບ
ເງື່ນໄຂການໃຊ້ງານ
ການປ່ອນສາຍ RoHS
ການສະແດງການກັບຄືນ
ທະບຽນ
ປະເພດສິນຄ້າ
ຜູ້ປະຕິບັດ
ບລັອກ ແລະໂພສ
ໃບບໍລິສັດ
ການປະກັນຄະດີ
ວິທີການເຊອຍເອີນ
ການສົ່ງສິນຄ້າລະດົກທົ່ວໄປ
ອັດຕາຄ່າແບ່ງສົ່ງ
ຄວາມຖາມທີ່ພໍໃຈ
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB029N06N3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB029N06N3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
ສິນຄ້າ:
29422 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12804114
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
*
ບໍລິສັດ
*
ຊື່ຕໍ່ສຽງ
*
ໂທ
*
ອີເມວ
ສະຖານທີ່ສົ່ງໃບເດີນ
ຂໍເລືອກສາທາລະນະ
(
*
) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB029N06N3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
188W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB029
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
IPx029N06N3 G
ບັນທຶກ HTML
IPB029N06N3GATMA1-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
IPB029N06N3GATMA1
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB029N06N3G
IPB029N06N3 GCT
IPB029N06N3 G-DG
IPB029N06N3 GDKR-DG
IPB029N06N3GATMA1CT
IPB029N06N3 GTR-DG
IPB029N06N3GATMA1DKR
IPB029N06N3 GCT-DG
IPB029N06N3GATMA1TR
IPB029N06N3 GDKR
IPB029N06N3 G
SP000453052
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
IPA60R450E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP