ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB024N08N5ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB024N08N5ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
ສິນຄ້າ:
990 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800645
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB024N08N5ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 154µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8970 pF @ 40 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
214W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB024
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB024N08N5ATMA1-DG
448-IPB024N08N5ATMA1TR
INFINFIPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1DKR
SP001227044
2156-IPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
BSS138NL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
