ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB021N06N3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB021N06N3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
ສິນຄ້າ:
12858537
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB021N06N3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 196µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
23000 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
250W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB021N
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB021N06N3 GTR
IPB021N06N3GATMA1DKR
IPB021N06N3 GTR-DG
IPB021N06N3 GCT-DG
IPB021N06N3G
IPB021N06N3GATMA1CT
IPB021N06N3 GDKR-DG
IPB021N06N3 G-DG
IPB021N06N3 G
IPB021N06N3GATMA1TR
IPB021N06N3 GCT
SP000452248
IPB021N06N3 GDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN1R7-60BS,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5180
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN1R7-60BS,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.48
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BUK962R8-60E,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
38
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BUK962R8-60E,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.67
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BUK762R6-60E,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4795
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BUK762R6-60E,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.45
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN3R0-60BS,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4780
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN3R0-60BS,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.38
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STH260N6F6-2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
998
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STH260N6F6-2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.10
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
NTMFS4C09NAT1G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
IPP027N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
HAT2131R-EL-E
MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOP