ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB011N04NGATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB011N04NGATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
ສິນຄ້າ:
3890 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800386
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB011N04NGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20000 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
250W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-7-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB011
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB011N04NGATMA1DKR
IPB011N04NGATMA1CT
IPB011N04NGATMA1TR
SP000388298
IPB011N04N G-DG
IPB011N04N G
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB65R095C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPD390P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
