ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB010N06NATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB010N06NATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
ສິນຄ້າ:
4992 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12802816
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB010N06NATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
45A (Ta), 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
208 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-7
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB010
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB010N06NDKR
SP000917410
IPB010N06N-DG
IPB010N06NATMA1TR
IPB010N06NTR
IPB010N06NDKR-DG
IPB010N06NCT-DG
IPB010N06NTR-DG
IPB010N06NATMA1CT
IPB010N06NATMA1DKR
IPB010N06N
IPB010N06NCT
2156-IPB010N06NATMA1TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPD90R1K2C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
IPI100N04S303MATMA2
MOSFET N-CH TO262-3
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB