IPAN60R360PFD7SXKSA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPAN60R360PFD7SXKSA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPAN60R360PFD7SXKSA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 10A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 23W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

ສິນຄ້າ:

402 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12810875
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPAN60R360PFD7SXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolMOS™PFD7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 140µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
534 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
23W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-FP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPAN60

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
IPAN60R360PFD7S

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-IPAN60R360PFD7SXKSA1
448-IPAN60R360PFD7SXKSA1
SP003965454

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPAN60R210PFD7SXKSA1

MOSFET N-CH 650V 16A TO220

infineon-technologies

IPS60R1K0PFD7SAKMA1

MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3

infineon-technologies

IMW65R107M1HXKSA1

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

infineon-technologies

IPAN60R125PFD7SXKSA1

MOSFET N-CH 650V 25A TO220