ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPA65R1K0CEXKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPA65R1K0CEXKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
ສິນຄ້າ:
12803274
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPA65R1K0CEXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
68W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-FP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPA65R1
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-IPA65R1K0CEXKSA1
ROCINFIPA65R1K0CEXKSA1
SP001429758
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STF10N65K3
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
952
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STF10N65K3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.66
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK6A65D(STA4,Q,M)
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
35
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK6A65D(STA4,Q,M)-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.73
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF2804STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRF9333TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
IPP50R280CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
