ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPA60R125P6XKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPA60R125P6XKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
ສິນຄ້າ:
12800186
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPA60R125P6XKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolMOS™ P6
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 960µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2660 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
34W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-FP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPA60R
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
INFINFIPA60R125P6XKSA1
SP001114652
2156-IPA60R125P6XKSA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TSM60NB099CF C0G
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor Corporation
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
905
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TSM60NB099CF C0G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.11
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6024VNXC7G
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1073
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6024VNXC7G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.16
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPA029N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP
IPP048N06L G
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
