ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPA60R099P7XKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPA60R099P7XKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
ສິນຄ້າ:
12799765
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPA60R099P7XKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolMOS™ P7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 530µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1952 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
29W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-FP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPA60R099
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001658390
2156-IPA60R099P7XKSA1
IFEINFIPA60R099P7XKSA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFP34N65X2M
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
285
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFP34N65X2M-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.65
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6030KNXC7
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1500
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6030KNXC7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.76
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSO301SPHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
IPB020N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
