ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IMZ120R060M1HXKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IMZ120R060M1HXKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
ສິນຄ້າ:
445 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800093
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IMZ120R060M1HXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolSiC™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 5.6mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
150W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO247-4-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-4
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IMZ120
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
IMZ120R060M1HXKSA1-DG
448-IMZ120R060M1HXKSA1
SP001808370
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPA95R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 6A TO220
BUZ73LHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
BSO300N03S
MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO