ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IMZ120R030M1HXKSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IMZ120R030M1HXKSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
ສິນຄ້າ:
159 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12802953
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IMZ120R030M1HXKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolSiC™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2120 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
227W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO247-4-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-4
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IMZ120
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1-DG
SP001727394
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFBA1405PPBF
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
IRFH5302TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
IPU60R950C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
