ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IMBG120R030M1HXTMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IMBG120R030M1HXTMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
ສິນຄ້າ:
967 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12945928
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IMBG120R030M1HXTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolSiC™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 11.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-7-12
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IMBG120
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IMBG120R030M1HXTMA1DKR
448-IMBG120R030M1HXTMA1CT
448-IMBG120R030M1HXTMA1TR
SP004463784
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
G3R30MT12J
ຜູ້ຜະລິດ
GeneSiC Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
68
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
G3R30MT12J-DG
ລາຄາຕໍານອນ
20.78
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IAUZ40N06S5N050ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
CP802-CWDM3011P-CM
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
CP802-CWDM3011P-CT
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
