ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IMBF170R650M1XTMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IMBF170R650M1XTMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1700 V 7.4A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-13
ສິນຄ້າ:
1478 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12937643
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IMBF170R650M1XTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolSiC™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1700 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1.7mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 12 V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
422 pF @ 1000 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
88W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-7-13
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IMBF170
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IMBF170R650M1XTMA1CT
448-IMBF170R650M1XTMA1TR
448-IMBF170R650M1XTMA1DKR
SP002739686
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
MTB60N10E7L
N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA1725G-E1-A
N-CHANNEL POWER MOSFET
RJL5013DPP-00#T2
N-CHANNEL POWER MOSFET
