ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IGT60R070D1ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IGT60R070D1ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
ສິນຄ້າ:
12800944
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IGT60R070D1ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
CoolGaN™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
125W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HSOF-8-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerSFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IGT60R070
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ເອກະສານຄວາມໄວ້ວາງໃຈ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ລາຍ ລະ ອຽດ ຂອງ ຜະລິດຕະພັນ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001300364
IGT60R070D1ATMA1DKR
IGT60R070D1ATMA1CT
2156-IGT60R070D1ATMA1TR
IGT60R070D1ATMA1TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IGT60R070D1ATMA4
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3044
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IGT60R070D1ATMA4-DG
ລາຄາຕໍານອນ
7.24
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB039N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
IPD35N12S3L24ATMA1
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
IPL60R095CFD7AUMA1
MOSFET N CH