ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IGT40R070D1E8220ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IGT40R070D1E8220ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 400 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13276537

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IGT40R070D1E8220ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

CoolGaN™

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

31A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 2.6mA

Vgs (Max)

±10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

382 pF @ 320 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

125W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

0°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PG-HSOF-8-3

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-PowerSFN

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IGT40R070

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IGT40R070D1 E8220

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,000

ຊື່ ອື່ນໆ

448-IGT40R070D1E8220ATMA1TR

SP001946158

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

wolfspeed

C3M0032120K

SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L

transphorm

TP65H050WSQA

GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

SQJ401EP-T2_GE3

MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8

SQJ456EP-T2_GE3

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8