ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IGOT60R070D1AUMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IGOT60R070D1AUMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-87
ສິນຄ້າ:
12841826
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IGOT60R070D1AUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
CoolGaN™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
125W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-DSO-20-87
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IGOT60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ເອກະສານຄວາມໄວ້ວາງໃຈ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ລາຍ ລະ ອຽດ ຂອງ ຜະລິດຕະພັນ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ຊື່ ອື່ນໆ
IGOT60R070D1AUMA1DKR
2156-IGOT60R070D1AUMA1-448
IGOT60R070D1AUMA1TR
SP001505772
IGOT60R070D1AUMA1CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IGOT60R070D1AUMA3
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1105
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IGOT60R070D1AUMA3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
8.95
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
NTMFD4952NFT3G
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
BSB053N03LP G
MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
NVMFS5C450NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
