IGO60R070D1AUMA2
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IGO60R070D1AUMA2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IGO60R070D1AUMA2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

GAN HV
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-85

ສິນຄ້າ:

12967530
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IGO60R070D1AUMA2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolGaN™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
125W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-DSO-20-85
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IGO60

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IGO60R070D1AUMA2TR
SP005557222
448-IGO60R070D1AUMA2DKR
448-IGO60R070D1AUMA2CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

2SJ636-TL-E

PCH 4V DRIVE SERIES

renesas-electronics-america

H7N0608LS90TL-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

rohm-semi

BSS138BKAHZGT116

NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG

renesas-electronics-america

2SJ387STL-E

P-CHANNEL POWER MOSFET