ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IGLD60R070D1AUMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IGLD60R070D1AUMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
ສິນຄ້າ:
12838651
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IGLD60R070D1AUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
CoolGaN™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
114W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-LSON-8-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-LDFN Exposed Pad
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IGLD60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ເອກະສານຄວາມໄວ້ວາງໃຈ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ລາຍ ລະ ອຽດ ຂອງ ຜະລິດຕະພັນ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001705420
IGLD60R070D1AUMA1DKR
IGLD60R070D1AUMA1TR
2156-IGLD60R070D1AUMA1TR
IGLD60R070D1AUMA1CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IGLD60R070D1AUMA3
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1584
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IGLD60R070D1AUMA3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
7.39
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDBL86063_F085
MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
FQI34P10TU
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
HUFA75344S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
