ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IAUTN12S5N018GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IAUTN12S5N018GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET_(120V 300V)
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 120 V Surface Mount PG-HSOG-8-1
ສິນຄ້າ:
1764 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12991539
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IAUTN12S5N018GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™5
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HSOG-8-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerSMD, Gull Wing
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,800
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IAUTN12S5N018GATMA1CT
SP005629905
448-IAUTN12S5N018GATMA1TR
448-IAUTN12S5N018GATMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
MSJPF20N65A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
IGOT60R070D1E8237AUMA1
GAN HV
IPB011N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40V
