IAUC120N04S6N009ATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IAUC120N04S6N009ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IAUC120N04S6N009ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33

ສິນຄ້າ:

12800618
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IAUC120N04S6N009ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 90µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7360 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
150W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-33
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IAUC120

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IAUC120N04S6N009ATMA1DKR
SP001688678
IAUC120N04S6N009ATMA1TR
IAUC120N04S6N009ATMA1CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPD50N04S309ATMA1

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

infineon-technologies

BSR606NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59

infineon-technologies

IPB80N06S209ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPB65R150CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK